磨料对平面抛光效果的影响

　　平面抛光过程中磨料的作用是借助于机械力，将晶片表而经化学反应后形成的钝化膜去除，从而达到表而平整化的目的。日前常用的磨料有胶体SiO2 、Al2O3及CeO2等。
　　磨料的种类决定了磨粒的硬度、尺寸，从而影响抛光效果。抛光铝实验中，相对于SiO2、Al2O3磨料能获得较好的表而平整度，表而刮痕数量少、尺寸小，其原因是胶体SiO2磨粒尺寸小，抛光时磨料嵌入晶片表面的深度较小，并且在优选其它参数的情况下，也能获得很高的抛光效率。
　　磨料的浓度会影响抛光效果。抛光铝实验中，随着磨料 (胶体SiO2)浓度的提高，单位而积参与磨削的磨粒数日增加，所以抛光效率提高，表而刮痕尺寸缓慢增人或基本保持不变; 但磨料浓度过人时，抛光液的粘性增人，流动性降低，影响加工表而氧化层的有效形成，导致抛光效率降低。磨粒的尺寸也会对抛光效果产生影响，磨粒尺寸越小，表而损伤层厚度小。据统计，在硅片的精抛过程中，每次磨削层的厚度仅为磨粒尺寸的四分之一。为了有效地减小表而粗糙度和损伤层厚度，通常采用小尺寸的胶体硅(15~20nm)来代替粗抛时的胶体硅(50~70rnm);同时通过加强化学反应及提高产物的排除速度来提高抛光效率。