大尺寸硅片抛光要注意什么

　　对硅片进行双面抛光的过程中，我们可以感觉到大尺寸的硅片比小尺寸硅片要难很多，具体表现 在，大尺寸硅片容易产生划伤，容易塌边，破碎。并且要实现大尺寸硅片的高精度高效率是行业的一个难点之一。我司对硅片抛光机和硅片抛光工艺研究多年，有相 当深厚的造诣。在大尺寸硅片抛光技术的难点解决上有了很大的进展，目前已经具备解决这一难题的方案和技术。本文重点阐述压力压强对大尺寸硅片在抛光中的作 用。

　　大尺寸硅片我们以直径300mm的硅片为例，双面抛光过程中硅片的运动状态跟单面抛光不一 样，硅片是放在游星轮片内，在中心和边缘齿轮的带动下旋转，压力于圆盘作相对转动。由含有sio2的碱性抛光液输送到硅片和抛光垫之间，从而完成对硅片表 面的抛光。本实验主要目的是研究压力对硅片抛光的影响，故只改变压力其他参数不变。

　　用测量仪扫描硅片范围0.5mm*0.5mm，垂直分辨率0.2nm，表面粗超度用均方根 RMS表示：其中Z1为测得各点的高度值ZAVE位给定区域内Z 的平均值。RMS实际上是给定区域的标准偏差。硅片表面峰谷的高度变化用peak\valley值表示，其定义为表面最高点与最低点的高度差，也是表面粗 超度程度的量。

　　图2是硅片在压力5,10,18kPa下进行双面抛光的形貌，可以看出，在压力5kPa时 抛光后的表面比较粗糙，0.5mm*0.5mm范围内RMS是 1.13nm，谷峰值为8.06nm，当压力增大到10KPa时表面粗超度明显减小，RMS为0.79nm，峰谷值为5.18nm。随着压力的增加，表面 RMS和峰谷值均增加。因此，抛光压力的不同将得到不同的硅抛光片表面形貌。

　　从以上结果表明，压力的增大表面粗超度逐渐减小，当压力增加到一定程度时达到最小值，压力继续增加时，为粗超度增大，峰谷值和微粗超度在不同的压力下变化趋势基本一致。

　　基于以上实验，得知以下结论，当压力加大在某一恒定数值时，硅片表面的粗超度达到最小，抛 光液的厚度也随着压力的增大而减小，所以这一个恒定的数值是需要我们测量和计算的关键。只要压力调整到这一恒定数值，大尺寸硅片的表面粗超度就很容易实 现，如客户有硅片抛光的需求，我司有硅片抛光机请随时来我司试样。